2Т827Б (200*г.) – транзистор разный

522.72 руб. Цена за штуку:

Конфигурация :	n-p-n
Мощность :	рассеиваемая постоянная: 125 Вт
Частота :	коэффициента передачи тока граничная: 4 МГц
Максимальное напряжение :	коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В
Максимальное напряжение :	эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимальный ток :	коллектора постоянный: 20 А
Максимальный ток :	коллектора импульсный: 40 А
Ток :	обратный: 3 мА
Коэффициент :	передачи тока статический: 750-18000
Емкость :	коллекторного перехода: не более 400 пФ
Сопротивление :	насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т827А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем.