2Т316В (200*г) – транзистор разный

285.12 руб. Цена за штуку:

Конфигурация :	n-p-n
Мощность :	рассеиваемая постоянная: 150 мВт
Частота :	коэффициента передачи тока граничная: не менее 800 МГц
Максимальное напряжение :	коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В
Максимальное напряжение :	эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Максимальный ток :	50 мА
Ток :	коллектора обратный: не более 0,5 мкА
Коэффициент :	передачи тока статический: 40-120
Емкость :	коллекторного перехода: не более 3 пФ
Сопротивление :	насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).

Смотрите справочные данные <== ТУТ (2t316_.pdf)