2Т603Б – транзистор разный

475.20 руб. Цена за штуку:

Конфигурация :	n-p-n
Мощность :	рассеиваемая: 0,5 Вт
Частота :	коэффициента передачи тока граничная: 200 МГц
Максимальное напряжение :	коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В
Максимальное напряжение :	эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Максимальный ток :	постоянный: 300 мА
Максимальный ток :	импульсный: 600 мА
Ток :	коллектора обратный: не более 3 мкА
Коэффициент :	передачи тока статический: 60-180
Емкость :	коллекторного перехода: не более 15 пФ
Сопротивление :	насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом

Транзисторы 2Т603Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,75 г.