2Т830Б (200*г) – транзистор разный

356.40 руб. Цена за штуку:

Конфигурация :	p-n-p
Мощность :	рассеиваемая постоянная: 5 Вт
Частота :	коэффициента передачи тока граничная: 4 МГц
Максимальное напряжение :	коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В
Максимальное напряжение :	эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимальный ток :	коллектора постоянный: 2 А
Максимальный ток :	коллектора импульсный: 4 А
Ток :	обратный: 100 мкА
Коэффициент :	передачи тока статический: более 25
Сопротивление :	насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Транзисторы 2Т830Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях. Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).

Смотрите справочные данные <== ТУТ (830.pdf)